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7nm工艺逾越Intel AMD有望彻底逆袭

2019-3-24 08:14| 发布者: 电老板| 查看: 49| 评论: 0

摘要: AMD与Intel 虽然Intel、三星、台积电等对手都选择用在14nm之后用10nm太过一代,但GF却直奔7nm。 本日,Anandtech公然了环球六年夜代工厂的官方制程蹊径图,可以看到,台积电和GF的7nm最快,都能在2018年量产。 ...

AMD与Intel

虽然Intel、三星、台积电等对手都选择用在14nm之后用10nm太过一代,但GF却直奔7nm。

本日,Anandtech公然了环球六年夜代工厂的官方制程蹊径图,可以看到,台积电和GF的7nm最快,都能在2018年量产。

不过,GF为7nm分别了三代,第一代是DUV(深紫外光刻),而导入EUV(极紫外光刻)必要到2019年。

妙技指标上,GF的第一代/第二代7nm相较14nm FinFET可晋升40%机能、低落60%功耗,芯片本钱低落30%。DUV和EUV在细节指标上的区分仍是很年夜,比如DUV的氩氟(ArF)准分子激光波长是193nm,而EUV只有13.5nm。

回到进度比拟上,Intel其实是有些尴尬,1个10nm要用到2020年,其时辰AMD基于7nm的Zen 2/3都应颁布了。

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